Mẫu bộ nhớ DDR4 thế hệ mới này sẽ ứng dụng công nghệ kết nối xuyên dọc silicon (through-silicon via, gọi tắt là TSV) vừa giúp cải thiện dung lượng, vừa giúp tiết kiện điện năng tiêu thụ đến hơn 50%. Không chỉ dừng lại ở đấy, thanh TSV DDR4 RDIMM nói trên còn có tốc độ truy xuất thông tin nhanh hơn và ổn định hơn rất nhiều so với các thế hệ tiền nhiệm (đạt đến con số gần 2,4 Gb/giây).
Thoạt nhìn thì nó cũng như bao thanh RAM thông thường. Tuy nhiên, Samsung đã “cấy” lên đấy tổng cộng 144 con chip DDR4. Tất cả sẽ được xếp thành 36 “gói” DRAM 4 GB với một con chip chủ cho từng “gói” có nhiệm vụ quản lý bộ nhớ đệm nhằm tối ưu hóa sự hoạt động của cả thanh RAM.
Dự kiến, mẫu thanh RAM DDR4 128 GB này sẽ được tung ra thị trường vào năm nay. Tuy nhiên, Samsung hiện vẫn chưa tiết lộ giá bán chính thức cũng như thời điểm ra mắt cụ thể.
